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BSO615C G 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

BSO615C G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A，2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

BSO615C G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A，2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO615C G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A，2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

查看更多BSO615C G的供應(yīng)商

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FET - 陣列 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
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連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 61POS FLANGE W/SKT
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BRL2012TR47M
固定式 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） INDUCTOR 0.47UH 20% 0805 SMD

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